La técnica de crecimiento epitaxial de semiconductores en ultra alto vacío permite crecer capas de diferentes materiales semiconductores con un control de espesor mejor que una monocapa. |
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El crecimento de heteroestructuras de pozo cuántico, superredes, detectores y emisores de radiación. etc, puede realizarse combinando capas cristalinas de materiales con diferente gap de energía y/o dopaje. |
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Nombre Franklin Quintero
Asignatura: EES
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