La epitaxia por haces moleculares es una técnica habitual en el crecimiento de heteroestructuras de semiconductores por la gran perfección cristalina que alcanza. Los haces moleculares inciden sobre un sustrato y diversas reacciones químicas ocasionan la deposición de monocapas sucesivas.
 |
Mediante el adecuado control de las especies químicas de los haces se puede variar la composición de las capas epitaxiales. Los requerimientos técnicos son elevados pues se exige un perfecto control de la temperatura y vacío en la cámara de crecimiento.
 Fuente: http://valbuena.fis.ucm.es/expint/html/dc/dc01/mbe.html Nombre Franklin Quintero Asignatura EES |
Get news, entertainment and everything you care about at Live.com. Check it out!
No hay comentarios:
Publicar un comentario